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功率半导体元件
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功率半导体元件研究与开发
包
包装意义：
将设备连接到外部电路。
散发元件产生的热量。
保护设备免受外部环境的影响。
功率器件的许多可靠方法与温度有关。研究重点是：：
散热性能
抵抗封闭的热循环
包装材料的**高工作温度
低压MOSFET同样受到树脂的耐热性的限制。
对于一般电源220向所述多个半导体封装的，TO-247，TO-262，TO-3，d 2被打包，和类似物。
结构改进
IGBT设计仍在开发中，并且电压正在增加。在高功率频段，MOS控制晶闸管是有保证的元件。主要的改进遵循普通的MOSFET结构。
宽带隙半导体
有望成为一种以宽带隙半导体替代硅的非凡功率半导体。目前，碳化硅（SiC）**强大。SiC肖特基二极管可作为1200V JFET在市场上买到，耐压为1200V。它具有高电流和高速度。已经开发出用于高电压（**高20 kV）的双极型设备。由于该优点，碳化硅在高温（高达400°C）下具有比硅低的热阻，并且更易于冷却。的氮化镓（GaN）的也是有希望的高频半导体元件。
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