除了标准半桥和全桥电路外，还有两种拓扑广泛用于 SiC 器件。这两种拓扑是双向转换器和 Vienna 整流器。双向架构本质上是降压-升压类型的 DC-DC 转换器，可以配置为提供两条不同的电压总线，并可以根据需要交换功率。这种架构非常适合具有两条电池总线的车辆，而所有电动汽车和轻度混合动力汽车都有两条电池总线。理想情况下，这两条总线可以相互充电。实现双向转换器的 IC 目前有市售产品。

另一种拓扑是 Vienna 整流器，越来越多的设计采用这种拓扑。它是一种三相、三电平 PWM 控制的桥式整流器。其主要应用是大功率交流转直流电源中的功率因数校正 (PFC)。

在目前 90% 以上的应用中，SiC 器件都可以替代 IGBT。如今，很少有新设计采用 IGBT。IGBT 可以承受大约高达 1900 V 的高压，但开关速度较慢。SiC 器件可以应对高电压和电流水平，但开关速度要快得多。SiC 晶体管承受的电压上限为 1800 V，因此可以很好地替代 IGBT。SiC 不仅有更高的开关频率，从而提高性能和效率，而且还能使用更小的封装。

相比其他 MOSFET，SiC 晶体管需要更大的栅极驱动电压。典型 SiC 晶体管需要 15 V 到 20 V 的栅极电压才能导通，需要 -3 V 至 -5 V 以关断器件。不过，大多数 SiC 供应商已经通过特殊栅极驱动器 IC 解决了这一需求，因此很容易使用 SiC 器件进行设计。

模块是一个完整的预接线 MOSFET 电路，其封装针对尺寸和热性能进行了优化。例如用于驱动三相电机的三相桥模块。它连接其他架构以创建 DC-DC 转换器或三相整流器。模块集成了 SiC MOSFET 和 SiC 二极管，以确保导通和开关损耗较低。这种架构在电源产品中实现了高效率和优异的可靠性。

模块包含一个温度传感器（如热敏电阻），用于监测热量水平，并提供某种类型的电路保护或温度控制。模块可以显著缩短设计时间，并实现更小的封装。新设计的理想目标是采用 90% 的模块和 10% 的其他分立元器件。

当使用 SiC 晶体管和电路等复杂器件时，拥有一个不仅可以供应产品，还能提供设计解决方案、信息和帮助的供应商会很有益。它要是电子元器件供应商而且是全方位服务的，具备完整的内部端到端供应链的优势。